Transistors, IGBT

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Transistors de puissance et IGBT – interrupteurs semiconducteurs pour l'électronique de puissance et les entraînements

Les transistors de puissance et IGBT (transistors bipolaires à grille isolée) sont les principaux éléments semiconducteurs actifs dans les variateurs de fréquence, les onduleurs, les hacheurs et les postes de soudage. Dans le vaste assortiment de RGB Elektronika, vous trouverez des modules IGBT discrets et des transistors individuels des fabricants Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, ON Semiconductor, IXYS et Vishay – des MOSFET basse tension discrets (30 V/100 A) aux modules IGBT haute tension (1.200 V/2.400 A) pour des puissances d'entraînement jusqu'à plusieurs mégawatts.

Principaux types de transistors et IGBT

  • IGBT discrets individuels – boîtier TO-247/TO-264/D2PAK; 600 V/650 V/1.200 V; 10–200 A; technologie grille tranchée; pour fréquences de commutation jusqu'à 150 kHz
  • Modules IGBT demi-pont – 600 V–1.700 V; 25–2.400 A; diodes de roue libre intégrées; configurations demi-pont, double et 6-en-1; socle standard Infineon/Semikron
  • Modules MOSFET SiC – carbure de silicium; 650 V/1.200 V/1.700 V; RDS(on) ultra-faible; fréquences de commutation jusqu'à 500 kHz; pour onduleurs PV haute efficacité et systèmes de recharge VE
  • CI pilotes de grille – pilotes bootstrap, pilotes de grille à isolation galvanique; courant de sortie 2 A–15 A; protection DESAT; Miller Clamp; pour topologies demi-pont et pont complet

Pourquoi acheter des transistors de puissance chez RGB Elektronika?

  • Semiconducteurs originaux – distributeur agréé Infineon, Mitsubishi, Fuji; pas de contrefaçons; garantie fabricant complète et traçabilité
  • Conseil technique – aide au choix du bon IGBT/MOSFET/SiC selon la tension, le courant, la fréquence de commutation et les exigences thermiques
  • Livraison rapide – types standard en stock; expédition 24–48 h; express possible; pas de quantité minimum
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